三星量產世界最快顯存 可大幅提升顯卡性能

　　近日，三星宣布開始大規(guī)模生產基于第二代HBM技術的顯存芯片，它的數(shù)據(jù)傳輸速度可以達到256GBps，比現(xiàn)在市場上最好的DDR5內存芯片還要快7倍。

　　新生產的20納米顯存芯片主要提供給服務器制造商，因為它們愿意采用最新的產品。新的顯存芯片還可以大幅提升Nvidia、AMD顯卡的性能并降低能耗。

　　目前三星開始量產的4GB顯存模組以4x8Gb規(guī)格封裝，年底時三星還會開始生產8GB產品。它采用了20納米制程和先進的HBM(高帶寬內存)芯片設計，不只性能好，而且節(jié)能、穩(wěn)定、尺寸小，非常適合用在下一代HPC(超級計算機高效能運算)系統(tǒng)和顯卡中。

　　去年10月時，三星曾推出128GB 3D TSV DDR RDIMM芯片，量產HBM2 DRAM標志著TSV(硅通孔)DRAM技術取得了里程碑式的突破。

　　4GB HBM2封裝下面是緩沖芯片，上面是4個8GB(1GB)容量的HBM2 DRAM芯片，它們通過TSV孔洞和微凸塊焊接垂直連接在一起。每一塊8GB HBM2芯片上有5000個TSV孔洞，比8GB TSV DDR芯片多了36倍，從而大大提升了數(shù)據(jù)傳輸速度。

　　三星新顯存的帶寬高達256GB/s，比一代HBM DRAM顯存芯片快了一倍。4GB GDDR5 DRAM芯片的帶寬為36GBps，新芯片比它快了7倍。與此同時，新顯存的能耗效率更高，它的每瓦特帶寬比4GB GDDR5要高一倍，它還嵌入了ECC(錯誤檢查與糾錯)功能提高了芯片的穩(wěn)定性。

　　今年晚些時候，三星會推出8GB封裝二代HBM顯存。如果顯卡采用8GB封裝二代HBM顯存，與GDDR5 DARM相比設計者可以節(jié)省95%的空間，從而為緊湊型、對顯示計算性能要求高的設備提供更優(yōu)的解決方案。

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