臺積電官方正式宣布啟動2nm工藝研發(fā)

　　7nm工藝還沒有全面普及，現(xiàn)在，臺積電又官方宣布，正式啟動2nm工藝的研發(fā)，工廠設(shè)置在位于臺灣新竹的南方科技園，預(yù)計2024年投入生產(chǎn)。下面讓我們一起來看看吧!

　　臺積電官方正式宣布啟動2nm工藝研發(fā)

　　這幾年，雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩，但是在半導(dǎo)體工藝上，幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm，臺積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。

　　按照臺積電給出的指標(biāo)，2nm工藝是一個重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23%。

　　臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，看晶體管結(jié)構(gòu)示意圖和目前并沒有明顯變化，能在硅半導(dǎo)體工藝上繼續(xù)壓榨到如此地步真是堪稱奇跡，接下來就看能不能做到1nm了。

　　當(dāng)然，在那之前，臺積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節(jié)點(diǎn)。

　　其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù)，目前已經(jīng)投入量產(chǎn);6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產(chǎn);5nm全面導(dǎo)入極紫外光刻，已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn)，明年底之前量產(chǎn)，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納);3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。

臺積電官方正式宣布啟動2nm工藝研發(fā)（圖片來源：攝圖網(wǎng)）

　　臺積電

　　臺積電是目前世界上最大的獨(dú)立半導(dǎo)體代工制造商。臺積電與世界上一些最大的芯片設(shè)計商合作，如Nvidia，AMD，高通，蘋果，華為和聯(lián)發(fā)科。截至2019年1月，臺積電憑借其7nm制造工藝引領(lǐng)新一代的高端技術(shù)競爭，該工藝已經(jīng)開始批量生產(chǎn)，iPhone XS和華為Mate 20 Pro等頂級手機(jī)品牌都采用了這一技術(shù)。

　　12nm/16nm

　　與20nm工藝相比，臺積電16nm的速度提高近50%，功耗降低60%，其密度為28.2 MTr/mm2。

　　臺積電的12nm技術(shù)或多或少是一種營銷噱頭，類似于他們的16nm節(jié)點(diǎn)。這個12nm節(jié)點(diǎn)只是它們重新命名的16nm工藝，具有更好的柵極密度和較少的優(yōu)化。12nm工藝的估計密度約為33.8 MTr/mm?。臺積電的12nm和16nm工藝為麒麟、聯(lián)發(fā)科處理器和Nvidia的GeForce 10系列等提供代工服務(wù)。

　　主要用于：Nvidia圖靈GPU(GeForce 20系列)，麒麟960，麒麟659，麒麟710，Helio P60，Helio P70，Apple A10 Fusion處理器。

　　10nm

　　臺積電的10nm節(jié)點(diǎn)工藝的密度為60.3 MTr/mm?，是自身12nm/16nm節(jié)點(diǎn)密度的2倍多，速度提高了15%，功耗降低了35%。

　　目前該技術(shù)主要用于：Apple A11 Bionic，Kirin 970，Helio X3。

　　7nm

　　首先，讓我們看看最近一年來炒作最火熱的臺積電7nm工藝。TSMC的7nm工藝實際上有多種變體，7nm FF/FF+(FinFET和FinFET+)的晶體管密度約為96.49 MTr/mm?，7nm HPC的晶體管密度為66.7 MTr/mm?。

　　7nm FinFET工藝是TSMC自身10nm工藝密度的1.6倍。此外，與10nm技術(shù)相比，7nm工藝可使性能提高20%，功耗降低40%。

　　目前該技術(shù)主要用于：A12 Bionic(iPhone XS Max)，Snapdragon 855，Kirin 980，Zen 2(Ryzen 3000 Series)。

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