近乎無限壽命的新型固態(tài)硬盤問世

 　　在固態(tài)硬盤問世之初，外界對其穩(wěn)定性曾經(jīng)有過嚴重的擔憂。經(jīng)過證明，固態(tài)硬盤的穩(wěn)定性要比我們所想的更高，壽命基本可以達到10年以上。但問題在于，它們所使用的NAND閃存的確會產生損耗。不過現(xiàn)在，一種名為NRAM的新技術聲稱可取代現(xiàn)有的NAND閃存，為固態(tài)硬盤帶來近乎無限的使用壽命。

　　NAND的缺陷和其自身的設計有關。在NAND閃存當中，數(shù)據(jù)是使用電荷進行保持的，后者會被用來判斷某段內存當中所包含的是0還是1。在使用過程當中，用來固定電子的絕緣層會產生損耗，并最終影響內存值判斷的準確性。

　　而NRAM的工作方式則有所不同。它由碳納米管層所制作而成，當這些納米管彼此接近時，電阻就會降低，反之則會提高。電壓可以讓這些納米管在不同狀態(tài)之間切換，從而讓它們存儲0或1。

　　納米管的耐久度極高，可實現(xiàn)幾乎無限的讀寫循環(huán)。它們還具備耐熱、耐寒、抗電磁干擾和輻射的能力，而這些對于NAND或其他任何存儲介質都是非常危險的。與此同時，它們的數(shù)據(jù)讀寫速度也非?？?，可達到DDR4通道的飽和值。

　　在問世之后，這項技術或許不會對于消費級固態(tài)硬盤產生直接、明顯的影響。但對于數(shù)據(jù)中心和超級計算機來說，它的耐久度的確是個很大的吸引力。發(fā)明這項技術的公司Nantero表示，它們目前正在和前五大半導體代工廠的其中兩家進行合作。

　　Nantero表示，首批使用NRAM技術的產品將使用20nm工藝制作而成，但具體問世時間目前還尚未確定。

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