BIOS怎么升級(jí) 升級(jí)bios失敗后的處理方法(4)

　　二.Standard CMOS Features(標(biāo)準(zhǔn)CMOS參數(shù)設(shè)定)

　　這里就不用多講了!想必大家都能看懂!下面是“IDE設(shè)備設(shè)置”里面的選項(xiàng)解釋，一般不用用戶設(shè)置，保持默認(rèn)的就可以了!

　　三.Advanced BIOS Features(BIOS進(jìn)階功能設(shè)定)

　　1.Quick Power On Self Test(快速啟動(dòng)選擇):

　　當(dāng)設(shè)定為[Enabled](啟動(dòng))時(shí)，這個(gè)項(xiàng)目在系統(tǒng)電源開啟之后，可加速POST(Power On Self Test)的程序。BIOS會(huì)在POST過程當(dāng)中縮短或是跳過一些檢查項(xiàng)目，從而加速啟動(dòng)等待的時(shí)間!

　　2.Hard Disk Boot Priority(硬盤引導(dǎo)順序):

　　此項(xiàng)目可選擇硬盤開機(jī)的優(yōu)先級(jí)，按下的按鍵，你可以進(jìn)入它的子選單，它會(huì)顯示出已偵測到可以讓您選擇開機(jī)順序的硬盤，以用來啟動(dòng)系統(tǒng)。當(dāng)然，這個(gè)選項(xiàng)要在你安裝了兩塊或者兩塊以上的系統(tǒng)才能選擇!

　　3. HDD Change Message:

　　當(dāng)設(shè)定為[Enabled](啟動(dòng))時(shí)，如果你的系統(tǒng)中所安裝的硬盤有更動(dòng)，在POST的開機(jī)過程中，屏幕會(huì)出現(xiàn)一道提示訊息。

　　4. First Boot Device / Second Boot Device / Third Boot Device / Boot Other Device:

　　在[First Boot Device]、[Second Boot Device]以及[Third Boot Device]的項(xiàng)目當(dāng)中選擇要做為第一、第二以及第三順序開機(jī)的裝置。BIOS將會(huì)依據(jù)你所選擇的開機(jī)裝置，依照順序來啟動(dòng)操作系統(tǒng)!其中可以選擇的設(shè) 備根據(jù)你安裝的設(shè)備而定!

　　四.Advanced Chipset Features(芯片組設(shè)定)

　　芯片組設(shè)定也是Bios設(shè)置里面的一個(gè)重點(diǎn)設(shè)置，這里就詳細(xì)說明一下!

　　1.DRAM Timing Selectable(內(nèi)存參數(shù)設(shè)置選項(xiàng))：

　　這 個(gè)項(xiàng)目會(huì)視內(nèi)存模塊的不同，為接下來四個(gè)項(xiàng)目設(shè)定最佳的計(jì)時(shí)方式。默認(rèn)值為「By SPD」。這個(gè)默認(rèn)值會(huì)讀取SPD (Serial Presence Detect) 裝置的內(nèi)容，并且依據(jù)SPD內(nèi)容設(shè)定這四個(gè)項(xiàng)目。內(nèi)存模塊上的EEPROM (只讀存儲(chǔ)器) 儲(chǔ)存有關(guān)模塊的重要參數(shù)信息，例如內(nèi)存類型、大小、速度、電壓接口及模塊儲(chǔ)存區(qū)域。

　　2.CAS Latency Time：

　　這 個(gè)項(xiàng)目可控制DRAM讀取指令與數(shù)據(jù)成為真正可用的時(shí)間之間的延遲時(shí)間。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn) 行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低,從而提高內(nèi)存的運(yùn)行速度。反過來，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。

　　3. Act to Precharge Delay：

　　這個(gè)項(xiàng)目控制了給DRAM參數(shù)使用之DRAM頻率的數(shù)值。同理，數(shù)值小性能高，但是對(duì)內(nèi)存的質(zhì)量也要求嚴(yán)格!

　　4.DRAM RAS# to CAS# Delay：

　　這個(gè)項(xiàng)目可控制DRAM作用指令與讀取/寫入指令之間的延遲時(shí)間，有2，3，4幾種選擇。數(shù)值越小，性能越好。

　　5. DRAM RAS# Precharge：

　　這個(gè)項(xiàng)目是用來控制當(dāng)預(yù)充電(precharge)指令送到DRAM之后，頻率等待啟動(dòng)的等待時(shí)間。預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。

　　以上的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置一般可以不動(dòng)!讓默認(rèn)的就可以了，但是超頻玩者是肯定不會(huì)放過任何可以提高性能的東西的，所以如果你想在這里讓你的電腦提升一點(diǎn)性能的話，就必須慢慢試驗(yàn)，選擇一個(gè)適當(dāng)?shù)膮?shù)才能讓你的計(jì)算機(jī)達(dá)到性能和穩(wěn)定的最佳狀態(tài)!

　　6.Video BIOS Cacheable(影像快取):

　　如同系統(tǒng)BIOS的快取功能，啟用影像BIOS的快取功能將允許存取影像BIOS自C0000H到C7FFFH具有快取功能，如果快取控制器也被啟用。高速緩存的大小愈大，影像效能將會(huì)更快速。