三星Galaxy S10或?qū)⑹装l(fā)搭載LPDDR5及UFS3.0

　　三星作為智能手機(jī)市場的佼佼者，近幾年的三星智能手機(jī)都沒有什么大的改動，三星Galaxy S10可能是三星Galaxy大概的契機(jī)，此前有傳聞稱將會用上超聲波指紋識別及全新的大底雙攝技術(shù)，同時，三星Galaxy S10或?qū)⑹装l(fā)搭載LPDDR5及UFS3.0。

　　預(yù)計明年發(fā)布的三星Galaxy S10手機(jī)除了設(shè)計、拍照等方面的改進(jìn)之外，硬件配置顯然也會再上一個臺階，用上高通驍龍855、三星9820處理器是順理成章的升級，而在內(nèi)存、閃存上還有可能來個大招，首發(fā)LPDDR5內(nèi)存及UFS 3.0閃存。

　　OC3D網(wǎng)站爆料稱三星今年夏天就會開始LPDDR5內(nèi)存的生產(chǎn)，并與UFS 3.0閃存一起提供，這兩種存儲芯片的速度都要高于前代。

　　在這個問題上，下半年量產(chǎn)UFS 3.0閃存問題不大，UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)今年初已經(jīng)發(fā)布，相比現(xiàn)在的UFS 2.0/2.1，UFS 3.0采用的帶寬規(guī)范是HS-Gear4(G4)，再次實現(xiàn)帶寬翻倍，也就是單通道雙向11.6Gpps，因此雙通道雙向帶寬的理論最高值就是23.2Gbps，換算下速度在1.5-3GB/s左右，這速度跟M.2 SSD硬盤有得一拼了。

　　至于LPDDR5內(nèi)存，這個標(biāo)準(zhǔn)跟DDR5息息相關(guān)但又保持一定的獨(dú)立，DDR5最終規(guī)范還沒發(fā)布，但是DDR5產(chǎn)品已經(jīng)研發(fā)多年了，預(yù)計今年底就會有相關(guān)產(chǎn)品出現(xiàn)，LPDDR5則是DDR5的低功耗版，明年上市倒也可能。

　　不論LPDDR5還是UFS 3.0，明年的智能手機(jī)內(nèi)存、閃存容量及性能再次提升是跑不了的，只希望Galaxy S10別再是4+64GB起步了。

　　以上就是關(guān)于三星Galaxy S10或?qū)⑹装l(fā)搭載LPDDR5及UFS3.0的全部內(nèi)容，希望對你有所幫助。

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