高通Quick Charge 3.0正式發(fā)布 速度提升38%

　　在宣布驍龍430、617的兩款新品的同時，高通今天還發(fā)布了新一代快速充電技術(shù)：Quick Charge 3.0，號稱比上一代效率提升38%，快速充電速度最高達27%，同時幫助保護電池壽命周期。

　　據(jù)高通介紹，Quick Charge 3.0首次采用了“最佳電壓智能協(xié)商”(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV)算法，可在任意時刻實現(xiàn)最佳功率傳輸，且最大化效率。

　　據(jù)了解，Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內(nèi)將一部典型的手機從零電量充電至80%，而不具備Quick Charge的傳統(tǒng)移動終端通常需要大致一個半小時的時間。

　　充電電壓方面，Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。

　　這將允許手機獲得恰到好處的電壓，達到預(yù)期的充電電流，從而最小化電量損失、提高充電效率并改善熱表現(xiàn)。

　　此外，Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及充電器(包括USB Type-C)前向和后向兼容，并且擁有同樣的超快充電速度，以及獨立電路，為OEM廠商提供更靈活的選擇，還有幫助達到質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)的UL認證。

　　首批支持Quick Charge 3.0技術(shù)的處理器包括驍龍820、驍龍620、驍龍618、驍龍617和驍龍430，終端預(yù)計明年上市。

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